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Herstellung einkristalliner Siliziumkarbid-Substrate und -Wafer für die Halbleiterindustrie.
SiCrystal GmbH
NürnbergNeu auf Amplifa
Über SiCrystal
Die SiCrystal GmbH mit Sitz in Nürnberg produziert und liefert hochwertige einkristalline Siliziumkarbid-Substrate (SiC-Wafer), die als Basis für die Herstellung innovativer, energieeffizienter Elektronik-Komponenten dienen. Einkristallines Siliziumkarbid ist ein transparenter, äußerst harter und temperaturunempfindlicher Halbleiterwerkstoff mit außergewöhnlichen elektrischen Eigenschaften. Die typischen Wafer haben einen Durchmesser von 150 Millimetern und eine Dicke von 350 Mikrometern und müssen eine vom Kunden detailliert vorgegebene Spezifikation erfüllen. Das Unternehmen deckt alle Fertigungsschritte ab: die eigene Herstellung der Schlüssel-Rohstoffe, die Hochtemperatur-Kristallzüchtung aus der Gasphase, die präzise mechanische Bearbeitung von Kristallen und Wafern sowie halbleiter-gerechte Reinigung und finale Qualitätskontrolle im Reinraum. Neben Standard-Qualitäts-Wafern für die industrielle Weiterverarbeitung bei führenden Halbleiterkonzernen werden Engineering-Grade Wafer für Forschung und Entwicklung angeboten. SiCrystal ist ein Unternehmen des japanischen Rohm-Konzerns und beliefert Schlüsselkunden weltweit in den Bereichen Halbleiterindustrie, Industrie sowie Forschung und Entwicklung.
- Standort
- Nürnberg
- Verfahren
- Hochtemperatur-Kristallzüchtung aus der Gasphase (SiC-Kristallzüchtung), Präzise mechanische Bearbeitung von Kristallen und Wafern, Halbleitergerechte Reinigung, Finale Qualitätskontrolle im Reinraum, Eigene Herstellung der Schlüssel-Rohstoffe für Kristalle
- Werkstoffe
- Einkristallines Siliziumkarbid (SiC-Substrate/Wafer), Einkristallines Siliziumkarbid, Hochtemperatur-Kristallzüchtung aus der Gasphase, Präzise mechanische Bearbeitung
- Zertifikate
- ISO 9001, ISO 14001, ISO 45001, ISO 50001
- Branchen
- Halbleiterindustrie, Industrie, Forschung und Entwicklung
- 01
Eigene Herstellung der Schlüssel-Rohstoffe für Kristalle
- 02
Hochtemperatur-Kristallzüchtung aus der Gasphase
- 03
Präzise mechanische Bearbeitung von Kristallen und Wafern
- 04
Halbleitergerechte Reinigung
- 05
Finale Qualitätskontrolle im Reinraum
Werkstoffe und Verfahren
Einkristallines Siliziumkarbid
Transparenter, äußerst harter und temperaturunempfindlicher Halbleiterwerkstoff für energieeffiziente elektrische Bauteile.
Hochtemperatur-Kristallzüchtung aus der Gasphase
Verfahren zur Züchtung einkristalliner Siliziumkarbid-Kristalle aus eigens hergestellten Rohstoffen.
Präzise mechanische Bearbeitung
Bearbeitung von Kristallen und Wafern mit hoher Präzision bis zur Kundenspezifikation.
Standorte
Nürnberg
DEHauptsitz mit Produktion, Warenannahme und Vertrieb
- Werkstoffe
- Einkristallines Siliziumkarbid
- Gebäude A, B & C
- Reinraum
Produkte
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| Hochtemperatur-Kristallzüchtung aus der Gasphase (SiC-Kristallzüchtung)Guss | – | – | – | – | Einkristallines Siliziumkarbid |
| Präzise mechanische Bearbeitung von Kristallen und WafernZerspanung | – | – | – | – | Einkristallines Siliziumkarbid |
| Halbleitergerechte ReinigungOberfläche | – | – | – | – | Einkristallines Siliziumkarbid |
| Finale Qualitätskontrolle im ReinraumPrüfung | – | – | – | – | Einkristallines Siliziumkarbid |
| Eigene Herstellung der Schlüssel-Rohstoffe für KristalleEngineering | – | – | – | – | Einkristallines Siliziumkarbid |
Qualität und Zertifizierungen
Jeder Prozessschritt basiert auf fortschrittlichen Methoden in einem ständigen Verbesserungsprozess; die finale Qualitätskontrolle erfolgt im Reinraum. Das Qualitätsmanagementsystem erfüllt die Anforderungen der Normen ISO 9001, ISO 50001, ISO 14001 und ISO 45001.
| Nachweis | Nürnberg |
|---|---|
| ISO 9001 | |
| ISO 14001 | |
| ISO 45001 | |
| ISO 50001 |
Historie
- unbekannt
Keine belegten historischen Ereignisse aus den Quellen