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Entwickelt und fertigt Bildsensoren, Kameras, Röntgen- und Infrarotdetektoren sowie Spektrometer für Machine Vision und Wissenschaft
Teledyne Vision Solutions
Eindhoven (NL) · Waterloo (CA) · Bromont (CA) · Krailling/München (DE) · Enschede (NL) · Billerica (US)Neu auf Amplifa
Über Teledyne Vision Solutions
Teledyne Vision Solutions (TVS) bündelt die Bildtechnologie-Portfolios von Teledyne DALSA, e2v, Flir IIS, Adimec, Lumenera, Photometrics, Princeton Instruments und Judson Technologies. Das Portfolio umfasst Bildsensoren, Kameras (1D, 2D, Smart-Kameras, SWIR, Thermal/LWIR, wissenschaftliche und Röntgen-Kameras), 3D-Lasersensoren und Profiler, Frame Grabber sowie Software-Entwicklungswerkzeuge inklusive KI/Deep Learning. Gefertigt wird auf Halbleiterbasis: CCD/CMOS-Sensoren inkl. Back-side Thinning, MEMS-Fabrikation in der eigenen Foundry in Bromont (Kanada) sowie Infrarotdetektoren aus InGaAs, InSb, InAs, MCT (HgCdTe) und Type-II-Superlattice vom Wafer-Substrat bis zum Packaging. Für Machine Vision werden integrierte Inspectionssysteme für Inspektion, Messung, Identifikation und 3D-Laserprofilierung entwickelt. Abnehmer kommen aus Automobil, Elektronik, Halbleiter, Food & Packaging, Logistik, Medizin, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und wissenschaftlicher Forschung; Sensoren von Teledyne Judson wurden in der NASA-Mission Mars 2020 (Perseverance) eingesetzt. Europäische Vertriebs- und F&E-Standorte befinden sich u. a. in Eindhoven, Krailling bei München und Enschede.
- Standort
- Eindhoven (NL)
- Verfahren
- MEMS-Fabrikation (Foundry, Teledyne DALSA Semiconductor), CCD/CMOS Halbleiterfertigung inkl. Back-side thinning, Prüfung nach MIL-STD 833 Methoden (Bauteiltest), Design und Fertigung von Spektrometern und CCD/sCMOS/ICCD/EMCCD/emICCD/InGaAs Kameras, Maschinelles Sehen / Integrierte Vision-Systeme (Inspektion, Messung, Identifikation), Röntgen-Prüfung / Zerstörungsfreie Prüfung (NDT) mit CCD/CMOS/IGZO-Detektoren, Herstellung von Infrarot-Detektoren (Photodioden, Sensoren, Kameras) von Wafer-Substrat bis, MESA-Etch und Oberflächenpassivierung für InAs-Photodetektoren
- Werkstoffe
- Silizium (CCD/CMOS, Deep Depletion CCD), InGaAs, InSb, InAs, MCT / HgCdTe (PC und PV), T2SL (Type-II Superlattice), IGZO (X-Ray Detektoren), Type-II Superlattice
- Zertifikate
- ISO 9001:2015, ISO 9001:2017, ISO 13485:2016, ISO 14001:2015, ISO 9001, ISO 13485, ISO 14001
- 01
Wafer-/Substratfertigung (Silizium, Halbleiterverbindungen)
- 02
Sensorfertigung CCD/CMOS inkl. Back-side Thinning, MEMS-Fabrikation
- 03
Kamera- und Systemmontage
- 04
Softwareentwicklung inkl. AI/Deep Learning
- 05
Prüfung nach MIL-STD 833 Methoden / Failure Analysis
- 06
Integration zu Vision-Systemen und OEM-Lösungen
Werkstoffe & Fertigungsverfahren
Silizium (CCD/CMOS, Deep Depletion CCD)
Basismaterial für CCD/CMOS-Bildsensoren inkl. Deep Depletion CCDs, responsiv bis 1050 nm
InGaAs
Infrarotdetektoren für den SWIR-Bereich 1,7–2,6 µm
InSb
Kryogen- und LN2-gekühlte IR-Detektoren mit MTBF > 25.000 h
InAs
Photodetektoren bis 3,8 µm inkl. MESA-Etch und Oberflächenpassivierung
MCT / HgCdTe (PC und PV)
Photoelektrische und photovoltaische IR-Detektoren bis 22 µm, VLWIR via MBE
Type-II Superlattice
IR-Detektoren bis 5,4 µm bei Raumtemperatur oder TE-gekühlt
IGZO
Halbleitermaterial für Flach-Röntgendetektoren industrieller Anwendungen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| MEMS-Fabrikation (Foundry, Teledyne DALSA Semiconductor)Engineering | – | – | – | – | Silizium |
| CCD/CMOS Halbleiterfertigung inkl. Back-side thinningEngineering | – | – | – | – | Silizium |
| Prüfung nach MIL-STD 833 Methoden (Bauteiltest)Prüfung | – | – | – | – | – |
| Design und Fertigung von Spektrometern und CCD/sCMOS/ICCD/EMCCD/emICCD/InGaAs KamerasMontage | – | – | – | – | – |
| Maschinelles Sehen / Integrierte Vision-Systeme (Inspektion, Messung, Identifikation)Prüfung | – | – | – | – | – |
| Röntgen-Prüfung / Zerstörungsfreie Prüfung (NDT) mit CCD/CMOS/IGZO-DetektorenPrüfung | – | – | – | – | – |
| Herstellung von Infrarot-Detektoren (Photodioden, Sensoren, Kameras) von Wafer-Substrat bisEngineering | – | – | – | – | InSb, InGaAs, InAs, MCT (HgCdTe), T2SL |
| MESA-Etch und Oberflächenpassivierung für InAs-PhotodetektorenOberfläche | – | – | – | – | InAs |
| MBE (Molecular Beam Epitaxy) für VLWIR HgCdTe-DetektorenEngineering | – | – | – | – | MCT (HgCdTe) |
1 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| MEMS Foundry (Halbleiterfertigung) | Teledyne DALSA Semiconductor | – | – | – | Bromont, Québec, Kanada |
Zusatzleistungen
Referenzkunden
Qualität & Zertifizierungen
Teledyne Vision Solutions unterhält zertifizierte Qualitätsmanagementsysteme über alle Marken hinweg, inklusive Los-Tracking mit Komponenten-Traceability, Kontaminations- und ESD-Kontrollprogrammen sowie Failure-Analysis-Services. Bauteiltests erfolgen u. a. nach MIL-STD 833 Methoden.
| Nachweis | Waterloo (Ontario) | Eindhoven | Krailling (München) |
|---|---|---|---|
| ISO 9001 | |||
| ISO 13485 | |||
| ISO 14001 |
Historie
- 1960
Teledyne, Inc. wurde von Henry Singleton und George Kozmetsky gegründet
- 1969
Teledyne Judson Technologies beginnt mit IR-Detektoren für OEMs und Forscher
- 1981
Princeton Instruments gegründet; Architekt der weltweit ersten Spektroskopie-Kamera mit Photodioden-Array
- 1995
Erste wissenschaftliche gated ICCD-Kamera
- 1998
Integrierter Delay Generator in ICCD-Kamera
- 1999
Teledyne Technologies als eigenständiges börsennotiertes Unternehmen von Allegheny Teledyne abgespalten
- 2001
Erste wissenschaftliche Mikroskopie-EMCCD-Kamera