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Entwicklung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern (D³GaN), Leistungsmodulen und Traction-Inverter-Technologie für Elektromobilität
VisIC Technologies Ltd.
Ness Ziona, IsraelNeu auf Amplifa
Über VisIC Technologies
VisIC Technologies Ltd. mit Sitz in Ness Ziona, Israel, entwickelt Leistungshalbleiter auf Basis von Galliumnitrid (GaN) nach der hauseigenen D³GaN-Technologie (Direct Drive D-Mode). Das Portfolio umfasst Hochspannungs-Leistungstransistoren, diskrete GaN-Bauelemente (V08 Power Switches), Half-Bridge-Power-Module, Traction-Inverter-Systeme für BEV über 150 kW, On-Board-Charger-Lösungen sowie Hochspannungs-Battery-Disconnect-Lösungen. Die D³GaN-Technologie wurde für die Hochzuverlässigkeitsanforderungen der Automobilindustrie entwickelt und bietet geringere Verluste, höhere Schaltgeschwindigkeit und kompaktere Bauformen als Silizium- und SiC-Referenzdesigns. Die Entwicklung und Validierung erfolgt am Hauptsitz in Ness Ziona; für Packaging und Assembly arbeitet VisIC mit Partnern wie KYOCERA AVX Salzburg zusammen. Zu den Kooperationspartnern und Kunden zählen ZF, AVL, hofer powertrain, Marelli Motorsport und das Politecnico di Torino (PEIC). Zielbranchen sind Automotive (E-Antriebe, On-Board-Charger), Data Center, Industrial und Renewable Energy. Validierungsdaten belegen 130 kW bei 99,7 % Wirkungsgrad für EV-Traction-Inverter-Anwendungen. Das Unternehmen ist nach ISO 9001, ISO 14001, ISO 45001 und ISO/IEC 27001 zertifiziert.
- Standort
- Ness Ziona, Israel
- Verfahren
- GaN-Leistungshalbleiter-Entwicklung (D³GaN Technology, Direct Drive D-Mode), Traction Inverter Systeme (GaN-basiert, >150 kW BEV), On-Board-Charger Lösungen (D³GaN-basiert), Power Module Technologie (D³GaN Power Module, Half-Bridge Module), Diskrete GaN-Leistungsbauelemente (V08 Power Switches), Multi-Level 900V High-Power Inverter Design und Prototyping, 3-Level 800V GaN Inverter Entwicklung (3L NPC, 650V GaN Halbleiter, 400V/800V Batteriesysteme), Hochspannungs-Batterietrennung (High-Voltage Battery Disconnection) auf Basis GaN-Schalter
- Werkstoffe
- Galliumnitrid (GaN), Silizium (Si, Referenztechnologie), Siliziumkarbid (SiC, Referenztechnologie), Galliumnitrid (GaN), Direct Drive D-Mode, Silizium (Referenztechnologie), Siliziumkarbid (Referenztechnologie)
- Zertifikate
- ISO 9001:2015, ISO 14001:2015, ISO 45001:2018, ISO/IEC 27001:2022
- Branchen
- Automotive (EV-Traction-Inverter, OBC), Data Center, Industrial, Renewable Energy
- 01
GaN-Chip- und Systementwicklung (D³GaN, Direct Drive D-Mode)
- 02
Design und Prototyping von Power-Modulen und Inverter-Topologien
- 03
Joint R&D mit OEM-, Tier-1- und Forschungspartnern
- 04
Packaging und Assembly mit Partnern (z. B. KYOCERA AVX Salzburg)
- 05
Validierung und Prüfung (Double Pulse Test, Short-Circuit-Protection).
- 06
Support in allen Entwicklungsphasen bis zur Serienadaptierung
Werkstoffe & Technologien
Galliumnitrid (GaN), Direct Drive D-Mode
Hauseigene GaN-Technologie für Hochspannungsanwendungen mit geringsten Verlusten pro RDS(on), entwickelt für die Zuverlässigkeitsanforderungen der Automobilindustrie.
Silizium (Referenztechnologie)
Vergleichstechnologie, deren Effizienz- und Leistungsdichtegrenzen die GaN-basierten Mehr Level-Inverter übertreffen.
Siliziumkarbid (Referenztechnologie)
Vergleichstechnologie; bei WLTC-Tests zeigt die D³GaN-Lösung eine Effizienz oberhalb vergleichbarer SiC-Designs.
Standorte
Ness Ziona
ILHauptsitz, Entwicklung und Validierung von GaN-Leistungshalbleitern
- Losgröße
- Prototyp, Kleinserie
- Werkstoffe
- Galliumnitrid (GaN)
- Validierung und Prüfung von GaN-Leistungsbauelementen (Double Pulse Test, Short-Circuit-Protection)
- Entwicklung von 3-Level-800V-GaN-Inverter-Systemen
- Prototyping von Multi-Level-900V-High-Power-Invertern
Produkte & Bauelemente
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| GaN-Leistungshalbleiter-Entwicklung (D³GaN Technology, Direct Drive D-Mode)Engineering | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN) |
| Traction Inverter Systeme (GaN-basiert, >150 kW BEV)Engineering | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN), Silizium, Siliziumkarbid (SiC, Vergleichstechnologie) |
| On-Board-Charger Lösungen (D³GaN-basiert)Engineering | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN) |
| Power Module Technologie (D³GaN Power Module, Half-Bridge Module)Engineering | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN) |
| Diskrete GaN-Leistungsbauelemente (V08 Power Switches)Engineering | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN) |
| Multi-Level 900V High-Power Inverter Design und PrototypingEngineering | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN) |
| 3-Level 800V GaN Inverter Entwicklung (3L NPC, 650V GaN Halbleiter, 400V/800V Batteriesysteme)Engineering | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN) |
| Hochspannungs-Batterietrennung (High-Voltage Battery Disconnection) auf Basis GaN-SchalterEngineering | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN) |
| Validierung und Prüfung von GaN-Leistungsbauelementen (Double Pulse Test, Short-Circuit-Protection,Prüfung | – | – | – | – | Galliumnitrid (GaN) |
Zusatzleistungen
Referenzkunden
Qualität & Zertifizierung
Das Qualitätsmanagementsystem wird von der SII-QCD (Standards Institution of Israel) zertifiziert und umfasst ISO 9001:2015, ISO 14001:2015, ISO 45001:2018 und ISO/IEC 27001:2022. Die Validierung der Bauelemente erfolgt unter anderem per Double-Pulse-Test, Untersuchung der Short-Circuit-Protection und Charakterisierung des Schaltverhaltens.
| Nachweis | Ness Ziona |
|---|---|
| ISO 9001:2015 | |
| ISO 14001:2015 | |
| ISO 45001:2018 | |
| ISO/IEC 27001:2022 |
Historie
- 2018
Erstzertifizierung ISO 9001 (24.01.2018)
- 2021
Partnerschaft mit hofer powertrain zur Entwicklung eines 3-Level 800V GaN-Inverters; Erstzertifizierung ISO 14001 und ISO 45001; Kooperationsprojekt Marelli Motorsport/Politecnico di Torino mit VisIC V08 Power Switches
- 2022
Erfolgreicher Test des 3-Level GaN-Traction-Inverters mit hofer powertrain; Ausbau der Zusammenarbeit mit KYOCERA AVX Salzburg; Modul eines Tier-1-Herstellers für Inverter-Next-Generation-Samples adaptiert
Series-B-Investitionsrunde in Höhe von 26 Mio. USD für Next-Generation GaN Power Solutions für Electric Mobility
- 2024
ISO 27001 Erstzertifizierung (05.11.2024); Rezertifizierung ISO 9001, ISO 14001, ISO 45001
- 2026
Teilnahmen an PCIM Expo 2026, CTI Symposium USA 2026 und CS MANTECH 2026 (Validierungsdaten: 130 kW bei 99,7% Wirkungsgrad); AVL-Integration der D³GaN-Technologie in Tesla-Demonstratorfahrzeug