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Hersteller von Siliziumkarbid-Substraten, SiC-Epitaxie, GaN-auf-SiC-Materialien und SiC-Leistungsbauelementen

Wolfspeed, Inc.

Durham, NC (HQ) · Fayetteville, AR · Marcy, NY · Research Triangle Park, NC · Siler City, NC · Unterschleißheim (Wolfspeed Europe GmbH) · Milton Keynes · Paris · Vicenza · Shanghai · Shenzhen · TokyoNeu auf Amplifa

1987Gegründet (als Cree, Inc.)

4US-Produktionsstandorte

200 mmgrößter Serien-Waferdurchmesser (n-type SiC)

2.500+Patente und Patentanmeldungen (global, Stand Sept. 2026)

WeltweitLiefergebiet

Über Wolfspeed

Wolfspeed ist ein US-amerikanisches Halbleiterunternehmen (NYSE-gelistet, ehemals Cree, Inc.) mit Sitz in Durham, North Carolina, das auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) spezialisiert ist. Das Unternehmen fertigt leitfähige n-type 4H-SiC-Substrate in 100 mm, 150 mm und 200 mm Durchmesser, High-Purity-Semi-Insulating-(HPSI-)SiC-Substrate für RF-Anwendungen sowie n- und p-leitende SiC-Epitaxie mit Schichtdicken bis 200 µm und Custom-Epitaxie. Darüber hinaus bietet Wolfspeed GaN-, AlGaN- und AlInN-Epitaxie auf HPSI-SiC-Substraten bis 150 mm an. Als erster US-basierter vertikal integrierter SiC-Hersteller (Silicon Carbide Corridor) fertigt das Unternehmen zudem SiC-MOSFETs, Schottky-Dioden und Power Modules end-to-end. Die Materialien dienen als Ausgangsprodukte für Leistungs- und RF-Halbleiter in Elektromobilität, Erneuerbaren Energien, Telekommunikation, Bahntraktion, industrieller Motorsteuerung, Rechenzentren und Luft- und Raumfahrt. Neben Produktionssubstraten werden Referenzdesigns, Evaluation Kits, Failure Analysis und IP-Lizenzierung angeboten.

Standort: Durham, North Carolina, USA
Verfahren: Herstellung von leitfähigen n-type SiC-Substraten (4H-SiC, Waferproduktion), SiC-Epitaxie (n-type und p-type, einschließlich Thick Epitaxy), Herstellung von High Purity Semi-Insulating (HPSI) SiC-Substraten, GaN-Epitaxie (GaN, AlxGa1-xN, Al1-yInyN auf SiC-Substraten), CMP-Politur der Silizium-Fläche (Double-Sided Polish, Si Face CMP Epi Ready), Laser-Markierung von Wafern (OCR-kompatibel, SEMI M12 / SEMI T5), End-to-End Power-Device-Fabrikation (SiC MOSFETs, Schottky-Dioden, Power Modules), Produktprüfung und Zuverlässigkeitstests (AEC, IATF, ISO9001, AS9100, JEDEC)
Werkstoffe: 4H-Siliziumkarbid (n-type, leitfähig), 4H-Siliziumkarbid (High Purity Semi-Insulating), Siliziumkarbid (allgemein), Galliumnitrid, Aluminiumgalliumnitrid, Aluminiumindiumnitrid, 4H-Siliziumkarbid, leitfähig (0.015–0.028 Ω·cm), 4H-Siliziumkarbid, High Purity Semi-Insulating (≥1E8 Ω·cm)
Zertifikate: ISO 9001 (QMS), ISO 14001 (EMS), ISO 45001 (OHS), ISO 14067 (PCF, verifiziert), AEC / IATF / JEDEC / AS9100
Branchen: Elektromobilität (EV, Nutzfahrzeuge, Off-Highway), Erneuerbare Energien/Energiespeicher, Basisstationen & Telekommunikation, Traction/Schiene, Industrielle Motorsteuerung, Power Management/Energieversorgung

01
SiC-Kristallzüchtung (Boules)
02
Waferfertigung (Sägen, Politur, CMP)
03
SiC-/GaN-Epitaxie
04
Power-Device-Fabrikation (MOSFET, Schottky-Diode)
05
Power-Module-Montage
06
Prüfung & Zuverlässigkeitstests

Materialien & Verfahren

4H-SiC n-type

4H-Siliziumkarbid, leitfähig (0.015–0.028 Ω·cm)

Substratmaterial für SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden in der Leistungselektronik, verfügbar in 150 mm und 200 mm.

4H-SiC HPSI

4H-Siliziumkarbid, High Purity Semi-Insulating (≥1E8 Ω·cm)

Halbleitendes Substrat für GaN-HEMTs in RF-Anwendungen, verfügbar in 100 mm und 150 mm.

SiC-Epitaxie

SiC-Epitaxie (n-type, p-type, Thick Epitaxy bis 200 µm)

Dotierschichten (Stickstoff/Aluminium) für Leistungshalbleiter mit Schichtdicken 0,2–200 µm und Custom-Strukturen.

GaN-Epitaxie

GaN, AlGaN, AlInN auf SiC

Nitrid-Epitaxie für HEMTs mit weltweit führender Bandbreite, Effizienz und Betriebsfrequenz in Telecom-, Luft- und Raumfahrtanwendungen.

CMP

Chemisch-mechanische Politur (Si-Face CMP Epi Ready)

Doppelseitige Politur der Siliziumfläche für epi-fertige Substratoberflächen.

Laser-Marking

Wafer-Laserbeschriftung (SEMI M12/T5, OCR-kompatibel)

OCR-kompatible Lasermarkierung zur Authentifizierung und Fehlervermeidung bei der Waferverarbeitung.

Standorte

Durham, North Carolina

Headquarters, Fertigung (Substrate & Power Devices)

Werkstoffe: 4H-SiC (n-type, HPSI), SiC-Epitaxie, GaN-Epitaxie

Fayetteville

Standort mit SiC-Expertise/Produktion

Werkstoffe: Siliziumkarbid

Marcy, New York

Standort

Siler City, North Carolina

Standort

Unterschleißheim

Wolfspeed Europe GmbH (Vertrieb/Support EMEA)

Produkte

**4H-SiC-Wafer (n-type)**Substratfertigung · Leistungselektronik

**Premium 200 mm n-type SiC-Substrate**Waferfertigung · Leistungselektronik

Einblicke in die Fertigung

Engineering for Outcomes – Gen 5 Plattform

Branchen

Elektromobilität (EV, Nutzfahrzeuge, Off-Highway)Erneuerbare Energien/EnergiespeicherBasisstationen & TelekommunikationTraction/SchieneIndustrielle MotorsteuerungPower Management/EnergieversorgungRechenzentren/AI-InfrastrukturLuft- und Raumfahrt & Verteidigung (RF)Netzinfrastruktur (Solid-State-Transformer)

Verfahren & technische Grenzen

Verfahren	Toleranz	Max. Bauteil	Gewicht	Losgröße	Werkstoffe
Herstellung von leitfähigen n-type SiC-Substraten (4H-SiC, Waferproduktion)Guss	–	–	–	–	4H-SiC (n-type), Siliziumkarbid
SiC-Epitaxie (n-type und p-type, einschließlich Thick Epitaxy)Guss	Dotierkonzentration ±12–20% (n-type), ±25–50% (p-type);	–	–	–	4H-SiC, Siliziumkarbid
Herstellung von High Purity Semi-Insulating (HPSI) SiC-SubstratenGuss	–	–	–	–	4H-SiC (HPSI), Siliziumkarbid
GaN-Epitaxie (GaN, AlxGa1-xN, Al1-yInyN auf SiC-Substraten)Guss	Δx=±0.015, Δy=±0.02; Schichtdicke ±15%	–	–	–	GaN, AlGaN, AlInN, 4H-SiC
CMP-Politur der Silizium-Fläche (Double-Sided Polish, Si Face CMP Epi Ready)Oberfläche	–	–	–	–	4H-SiC
Laser-Markierung von Wafern (OCR-kompatibel, SEMI M12 / SEMI T5)Oberfläche	–	–	–	–	4H-SiC
End-to-End Power-Device-Fabrikation (SiC MOSFETs, Schottky-Dioden, Power Modules)Engineering	–	–	–	–	Siliziumkarbid (SiC)
Produktprüfung und Zuverlässigkeitstests (AEC, IATF, ISO9001, AS9100, JEDEC)Prüfung	–	–	–	–	Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN)

Zusatzleistungen

SiC-Epitaxie (n-/p-Typ, dickfilm bis 200 µm, Custom-Epitaxie)GaN-Epitaxie auf SiCReference Designs, Evaluation Kits, Gate Driver BoardsTechnischer Support (Power Applications Forum, FAEs, Customer Quality Engineers)Failure AnalysisIP-Lizenzierung (Patente, Marken)Material-/Produktökologie-Dokumentation

Referenzkunden

AmperesandStercom

Qualität

Wolfspeed folgt AEC-, IATF-, ISO 9001-, AS9100- und JEDEC-Standards; Produkte werden in rauen Umgebungen getestet und simuliert, um Zuverlässigkeit zu bestätigen. Ein unternehmensweites Qualitätsmanagementsystem mit Manufacturing-, Infrastructure-, Supplier- und Customer-Quality-Teams sowie Failure-Analysis deckt den gesamten Produktlebenszyklus ab.

Nachweis	Durham, North Carolina
ISO 9001 (QMS)
ISO 14001 (EMS)
ISO 45001 (OHS)
ISO 14067 (PCF, verifiziert)
AEC / IATF / JEDEC / AS9100

Historie

1987
Gründung als Cree, Inc.; über 35 Jahre Unternehmensgeschichte in SiC- und GaN-Technologie
2006
Übernahme der Materials-Sparte; Akquisition von INTRINSIC Semiconductor Corporation (mitgegründet von Cengiz Balkas, heutiger EVP Materials)
Aufbau des ersten US-basierten Silicon Carbide Corridor mit End-to-End-Substrat- und Power-Device-Fertigung; Demonstration von 300-mm-SiC-Wafern; Industrieführer bei 200-mm-n-type-SiC-Substraten