Ist das Ihr Unternehmen? Profil übernehmen
Hochreines SiC-Quellmaterial (8N) per CVD sowie Substrate und prozesskritische Komponenten für die Halbleiterindustrie
Zadient
Deutschland · FrankreichNeu auf Amplifa
Über Zadient
Zadient ist Hersteller von Halbleiter-materialien für die gesamte Siliziumkarbid-Wertschöpfungskette. Das Unternehmen produziert 8N-hochreines Siliziumkarbid-Quellmaterial (99,999999 %) im CVD-Verfahren mit chargenübergreifender Konsistenz für die PVT-Kristallzüchtung. Am deutschen Standort wird die industrielle Fertigung des CVD-Quellmaterials skaliert und der Ausbau in Richtung prozesskritischer Komponenten aus CVD-SiC vorangetrieben. Der französische Standort ist auf Kristallzüchtung und die Herstellung von Substraten ausgerichtet. Die Materialien werden in Branchen wie Leistungselektronik, Mobilität (E-Autos, Bahn, Luftfahrt), Energietechnik, Telekommunikation/5G, Rechenzentren sowie Raumfahrt/Radar eingesetzt. Zadient beliefert die weltweite Halbleiter-Lieferkette mit Ausgangsmaterialien, die Wafer, Chips, Stromversorgungssysteme und HF-Komponenten ermöglichen.
- Standort
- Deutschland
- Verfahren
- CVD SiC Source Material Herstellung, PVT Crystal Growth, Substrat- und Komponentenfertigung (SiC), CVD-SiC-Quellmaterial (8N Reinheit), Herstellung von Substraten und prozesskritischen Komponenten, Skalierung der industriellen Fertigung
- Werkstoffe
- Siliziumkarbid (8N, 99,999999 %), CVD SiC, Siliziumkarbid 8N (99,999999 %), CVD-Siliziumkarbid
- Zertifikate
- Batch-to-Batch-Konsistenz
- Branchen
- Halbleiter-Industrie, Leistungselektronik, Fahrzeug/Elektromobilität, Bahntechnik, Luftfahrt, Energietechnik (Wind/Solar, Batteriespeicher, Smart Grid)
- 01
CVD-SiC-Quellmaterial (8N)
- 02
PVT-Kristallzüchtung
- 03
Wafer/Substrate
- 04
Prozesskritische SiC-Komponenten
- 05
Leistungselektronik und Systeme (Abnehmer)
Materialien und Verfahren
Siliziumkarbid 8N (99,999999 %)
Hochreines CVD-Quellmaterial mit chargenübergreifender Konsistenz für die PVT-Kristallzüchtung.
CVD-Siliziumkarbid
Werkstoff für Substrate und prozesskritische Komponenten.
Standorte
Deutschland
DECVD-Quellmaterial-Produktion, Ausbau zu prozesskritischen Komponenten
- Werkstoffe
- SiC 8N, CVD SiC
- CVD-Anlagen
Frankreich
FRKristallzüchtung und Substrate
- Werkstoffe
- SiC
Produkte
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| CVD SiC Source Material HerstellungAdditiv | – | – | – | – | Siliziumkarbid 8N (99,999999 %) |
| PVT Crystal GrowthAdditiv | – | – | – | – | SiC |
| Substrat- und Komponentenfertigung (SiC)Engineering | – | – | – | – | CVD SiC |
Zusatzleistungen
Qualität
Die CVD-Verfahrensergebnisse werden auf chargenübergreifende Konsistenz (Batch-to-Batch) ausgelegt, wie sie die PVT-Kristallzüchtung verlangt.
| Nachweis | Deutschland | Frankreich |
|---|---|---|
| Batch-to-Batch-Konsistenz |